金士顿ddr4真假辨别？怎么辨别金士顿内存条的真伪
一、鉴别金士顿内存真伪的7大技巧!
1、金士顿内存是一款性能优异的内存条，但市面上也存在着不少假货。本文将为大家介绍7种鉴别金士顿内存真伪的技巧，帮助大家轻松辨别真假。
2、观察内存颗粒上的“R”标志，正品是由“KINGSTON”字样围成的圆环，而假货多为普通圆圈。
3、真品内存的贴片电容很少，有些甚至完全省略。这与偷工减料的假货形成鲜明对比。
4、正品内存颗粒上的字迹清晰，而假货则可能模糊不清。
5、现在赞禾代理的正品都采用“纳米折光”技术，确保您的正品品质！
6、检查PCB板编号与标贴上的4位数字是否一致，这也是验证真伪的方法哦！
7、只有四联的金士顿内存说明书？小心为上，建议不要轻易购买。
8、不是所有以135XXX开头的号码都是假货！但确实存在其他虚假号码。想要确认？直接拨打金士顿总部电话！每个代理商还有自己的防伪方法哦。
二、怎么辨别金士顿内存条的真伪
1、查看内存标签：正品金士顿内存标签印刷清晰规则，而假货则明显粗糙浅淡，字体显得比较单薄。另外，真假金士顿内存标签的排版规则也有很大出入，请仔细观察。
2、查看内存颗粒：通过图片中金士顿内存颗粒可以清晰看出，正品金士顿内存颗粒印刷清晰，而假内存的颗粒则非常暗淡，与正品形成鲜明对比。
对于一款内存，PCB电路板仅占内存成本的百分之十左右，而内存颗粒才是决定内存价格的重点。因此，通常假货的PCB基本也是正规代工厂制造，而颗粒则采用行话里的“白片”，就是我们所说的次品，价格低廉，但稳定性和兼容性很差。
3、查看注册商标标识：正品金士顿的注册商标“R”的周围清楚的印有由"KINGSTON"英文字母组成的圆圈，而假货则明显胡乱仿制的一个圆框而已。
还有一点，仔细观察标签内部的水印，假内存水印和KINGSTON字体衔接处都有明显的痕迹，证明是后印刷的，这在正品金士顿内存中是不会出现的。
4、金手指辨认：下为正品金士顿内存的金手指。正品金士顿内存的金手指色泽纯正、紫色方框内的金手指连接部位经过镀金;假冒金士顿内存的金手指色泽略显暗淡，红色方框内的金手指连接处为PCB板的铜片，并未镀金。
5、PCB板上的字体辨认：左为正品金士顿内存。正品金士顿内存的字体均匀，无明显大小区别，并且有相关的认证符号。假冒金士顿内存的字体不一，无相关认证符号。
6、K字标签：这是使用单反相机进行微距拍摄，同时打开闪光灯拍摄真假标签，正品标签的镭射图案能看出密集的银粉颗粒，K字并不明显，背景呈蓝色。而假冒标签的K字十分明显，银粉颗粒的密度较低。
7、翻转角度查看防伪：正品金士顿内存的镭射防伪标签，通过变换角度能呈现出两种图案，第一种图案为上半沿带银粉效果，下半沿呈半个K渍;第二种图案为下半沿带银粉效果，上半沿呈半个K字。而假冒标签就只有一种图案，就是整个呈现出来一个很明显的K字。
8、查询序列号：验证方式内存产品编辑短信“M+产品SN序列号”发送至0212 333 0345
按照金士顿官方的说法，我输入“M36785241571636”发到“02123330345”即可查询内存真伪!
1987年，金士顿®凭借单一产品进入市场。针对表面封装存储芯片严重短缺的问题，金士顿创始人杜纪川和孙大卫设计出内存模组，同时重新树立了未来几年的行业标准。
金士顿科技结合了内存行业最广泛、最严格的测试流程之一、独特的免费技术支持中心以及源源不断的技术创新，自创立以来不断树立行业质量和可靠性标准。
金士顿的国际服务网络遍布六大洲，包括经销商、转售商、零售商和 OEM客户。同时，公司也为半导体制造商和系统 OEM提供代工和供应链管理服务。
参考资料来源：百度百科：金士顿
三、怎么查看金士顿内存条的真假
1、用电脑下载安装一个鲁大师软件并打开它；如图所示；
2、在鲁大师的操作界面中选择硬件检测，并找到内存信息；如图所示；
3、在内存信息中，可以看到自己的内存条信息，如图所示，从信息中可以看到电脑安装了两个金士顿内存条，可以得到内存条的制造日期、型号和序列号信息；如图所示；
4、之后在操作界面中点击性能测试，选择开始评测；如图所示；
5、性能评测完毕之后，可以查看到自己电脑的各项评测数据，其中有一项就是内存的评测结果，根据得出来的内存评测数据可以更加地了解自己内存的好与坏；如图所示；
四、金士顿内存条怎么鉴别真假
1、查看内存标签：正品金士顿内存标签印刷清晰规则，而假货则明显粗糙浅淡，字体显得比较单薄。另外，真假金士顿内存标签的排版规则也有很大出入，请仔细观察。
2、查看内存颗粒：通过图片中金士顿内存颗粒可以清晰看出，正品金士顿内存颗粒印刷清晰，而假内存的颗粒则非常暗淡，与正品形成鲜明对比。
3、查看注册商标标识：正品金士顿的注册商标“R”的周围清楚的印有由＂KINGSTON＂英文字母组成的圆圈，而假货则明显胡乱仿制的一个圆框而已。
(1)存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍为1GB到8GB。
(2)存取速度（存储周期）：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
(3)存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
(4)性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。
